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Name: | Ersatzteile des Wolframionenimplantats | Anwendung: | Halbleiter, Ionenimplantation |
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Form: | Entsprechend Zeichnungen | Dichte: | 19.1g/cm3 |
Standard: | ASTM B760-1 | Reinheit: | 99,95% |
Material: | Wolfram | Oberfläche: | Grund, maschinell bearbeitet |
Markieren: | 99,95% Wolfram maschinell bearbeitete Teile,99 |
99,95% Wolframkundenspezifischer Verarbeitungshalbleiter Ion Implantation Accessories
Die Wolframionenimplantationsteile sind- eine neue Generation der Spitzentechnologie für Materialoberflächebehandlung.
Ionenimplantation ist ein niedrigtemperaturprozeß, durch den die Ionen eines Elements in ein festes Ziel beschleunigt werden, dadurch ändert man die Systemtest-, chemischen oder elektrischeneigenschaften des Ziels. Ionenimplantation wird in der Halbleiterbauelementherstellung, in der Metalloberflächenbehandlung und in der Materialkundeforschung verwendet.
Ion-implanter ist die Schlüsselausrüstung, wenn es integrierte Schaltung herstellt. Wenn die auf die Oberfläche des Halbleiters schießenden und niedergelegten Ionenbündel, die Ladungsträgerdichte und die Leitungsart geändert wird. Besitzend zu seiner ausgezeichneten Oberflächenänderung, wird Ionenimplantation weit in halb Leitmaterial, im Metall, in der Keramik, im Hochmolekularpolymer angewendet, in der etc.-Ionenimplantation ist wesentlich, wenn man enorme integrierte Schaltung (IC) herstellt. Die Molybdänteile sind Schlüsselkomponenten im Ionen-Quell-System des Halbleiterion- implanter, zum der Ionenimplantationskomponente des ionisierenden Strahls. .molybdenum für Ion-implanter zurückzuhalten und abzuschirmen.
Spezifikation und chemische Zusammensetzungen
Material | Art | Chemische Zusammensetzung (nach Gew.) |
Reiner Wolfram | W1 | >99.95%min. MO |
Wolframkupferlegierung | WCu | 10%~50% Cu/50%~90% W |
Schwere Legierung Tungten | WNiFe | 1.5% - 10% Ni, F.E., MO |
Schwere Legierung Tungten | WNiCu | 5% - 9.8% Ni, Cu |
Wolframrhenium | WRe | 5,0% Re |
Moly-Wolfram | MoW50 | 0,0% W |
Vorteile von Wolframionenimplantationsteilen
(1) hat die Ionenimplantationsschicht keine offensichtliche Schnittstelle mit dem Matrixmaterial, so gibt es keinen Adhäsionsbruch oder Schale auf die Oberfläche, und sie wird fest mit der Matrix verpfändet.
(2) kann Ionenimplantation die Konzentrations- und Tiefenverteilung von eingepflanzten Ionen genau steuern, indem sie die Einpflanzungsdosis, die Einpflanzungsenergie und die Strahlndichte steuert.
(3) wird Ionenimplantation im Allgemeinen in der Raumtemperatur und im Vakuum durchgeführt. Die maschinell bearbeitete Werkstückoberfläche ist unsichtbar und von der Oxidation frei. Sie kann die ursprüngliche Maßgenauigkeit und die Oberflächenrauigkeit beibehalten. Es ist für den abschließenden Prozess von Hochpräzisionsteilen besonders passend.
(4) kann Druckspannung auf der Deckschicht des Werkstückes gebildet werden, um Oberflächenrisse zu verringern.
(5) werden sauberes Hochvakuum und ungiftiger Prozess und Materialien angenommen, ist die Behandlungstemperatur niedrig, und die Gesamtleistung des behandelt zu werden Materials wird nicht beeinflußt.
Anwendung: Wolfram-Ion-implanter Ersatzteile für Halbleiter
1. Die meisten Wolframteile für Ionenimplantation werden in der Halbleiterindustrie benutzt;
Erzeugnis 2.We tungstem Teile für Ionenimplantation mit hoher Dichte, Reinheit und Genauigkeit und homogene interne Struktur;
3. Unsere Wolframteile für Ionenimplantation sind- für mäßiges Strahlstrom implanter und starkes Strahlstrom implanter passend;
4. werden die Wolframteile für Ionenimplantation entsprechend der Kundenzeichnung gemacht.
Ansprechpartner: Lisa Ma
Telefon: 86-15036139126
Faxen: 86-371-66364729